非隔离并网逆变器进网电流直流分量抑制策略参数优化设计

非隔离并网逆变器存在向电网注入直流电流的风险。而现有针对该问题的虚拟电容法的控制器参数选择未兼顾进网电流控制器的稳态和动态性能。为此,提出一种比例谐振和虚拟电容(PR+C)控制器参数优化方法。首先,通过控制系统传递函数分析了虚拟电容和PR控制器之间的相互影响,并由幅值和相位裕度约束系统稳定性,初步给出参数选择范围。其次,定义了表征基波电流跟踪性能和直流抑制效果的3个指标,通过客观赋权法得到目标函数后在选择范围内进行优化参数求解。最后,通过样机实验对比不同控制参数下的控制性能,验证了优化参数的有效性。最终结果表明,所提参数优化过程简单明了,能够客观地权衡直流分量抑制效果和进网电流跟踪能力。     

Improved multi-recessed 4H–SiC MESFETs with double-recessed p-buffer layer

An improved multi-recessed 4H–SiC metal semiconductor field effect transistor (MRD-MESFET) with double-recessed p-buffer layer (DRB-MESFET) is proposed in this paper. By introducing a double-recessed p-buffer layer, the gate depletion layer is further modulated, and higher drain saturation current and DC transconductance are obtained compared with the MRD-MESFET. The simulations show that the drain saturation current of the DRB-MESFET is about 42.4% larger than that of the MRD-MESFET. The DC transconductance of the DRB-MESFET is almost 15% higher than that of the MRD-MESFET and very close to that of double-recessed structure (DR-MESFET) at the bias conditions of V_gs=0 V and V_ds=40 V. The proposed structure has an improvement of 26.1% and 74.2% in the output maximum power density compared with that of the MRD-MESFET and DR-MESFET, respectively. In the meanwhile, the proposed structure possesses smaller gate-source capacitance, which results in better RF characteristics.     

铁道客车DC600V电源装置门板密封条失效问题分析及改进建议

分析了铁道客车DC600V电源装置门板密封条失效的原因,提出了解决方案,并通过试验验证了其有效性。     

北柴胡茎叶低温挥发性成分的气质联用分析

目的:顶空加热提取北柴胡茎叶的低温挥发性成分,建立其GC-MS快速分析方法,实现老药工采药感官经验的客观阐明。方法:选择北柴胡的茎叶,顶空提取结合气相色谱-质谱分析,确定低温挥发性成分的结构和相对含量。结果:顶空加热提取结合GC-MS分析,鉴定柴胡茎叶中24个挥发性化学成分。结论:顶空提取与GC-MS联用可以快速建立柴胡茎叶的低温易挥发性成分表征体系,初步实现了老药工采药经验"气味"的物质基础的阐明。     

自主改造的NCHZ膜极距电解槽的后期运行

介绍了自主改造的膜极距NCHZ电解槽的运行数据,以及气相控制压力、意外停车自动连锁控制、极化整流装置等改进内容。针对改造后电解槽出现的2个单元槽电压升高及1张膜微漏的问题,提出解决方法。     

三靶共溅射纳米复合Cr-Al-Si-N涂层的 制备及摩擦学性能研究

目的 利用高功率脉冲磁控溅射技术离化率高、溅射离子能量高等优点,在Cr-Al-N涂层中添加Si元素研制a-Si3N4包裹nc-(Cr,Al)N的纳米复合涂层,通过改变反应沉积时的N2/Ar比来调控涂层成分与结构,实现纳米复合Cr-Al-Si-N涂层性能优化。方法 采用高功率脉冲与脉冲直流复合磁控溅射技术制备Cr-Al-Si-N涂层。利用扫描电镜、X射线衍射仪、能谱仪、应力仪、纳米压痕仪、划痕测试仪和摩擦试验机,研究N2/Ar比对涂层成分、结构、力学性能以及摩擦学行为的影响。结果 涂层主要由面心立方结构的CrN与AlN相组成,且沿(200)晶面择优生长。当N2/Ar流量比为3∶1时,涂层与基体结合最好,临界载荷约为36.5 N;摩擦系数和内应力较低,分别为0.5和-0.48 GPa。当N2/Ar流量比为4∶1时,H/E值和H3/E*2值升至最高,分别为0.11和0.24 GPa,磨损率最低,约为1.9×10-4 μm3/(N?μm)。结论 当N2/Ar流量比为4∶1时,三靶共溅射制备的Cr-Al-Si-N涂层硬度较高,耐磨性能最好。     

低电导率工质中气泡的极化运动实验研究

为探讨电场作用下气泡在低电导率工质中的极化运动特性,采用高速数码摄像技术对气泡在正庚烷溶液中的生长和分散过程进行了可视化研究,并结合无量纲数分析了不同气体流量和施加电压下的气泡演变特征以及极化力主导的气泡运动规律。结果表明,增大电场强度可导致气泡生长周期缩短,气泡尺寸显著减小,产生频率加快。在低电场强度下,气泡运动主要表现为流体动力学特性;而在强电场作用下,气泡首先受极化力主导而表现为电流体动力学特性,其直线轨迹高度随Bo_E增大而增大。但随着电场强度在竖直方向上的衰减以及液相阻力影响,气泡运动速度不断减小;当气泡脱离极化力主导区域后,其运动再次表现为流体动力学特性,受尾迹诱导和气泡间相互作用影响,气泡在竖直方向上沿毛细管轴向四周扩散。     

MMC-MTDC系统直流单极对地短路故障保护策略

直流侧故障保护是基于模块化多电平换流器(MMC)的多端柔性直流输电(MTDC)系统的关键问题。现有文献主要对直流双极短路故障展开研究,而直流单极接地故障同样可能对系统安全运行产生严重影响。首先针对不同的换流器接地方式,分析半桥型MMC-MTDC单极对地短路故障特性,指出交流侧低阻抗接地方式下存在的问题,为实际工程接地阻抗选择提供一定参考。利用全桥型MMC的短路电流清除能力,提出一种单极对地短路故障快速恢复保护策略,能够在交流侧低阻抗接地方式下避免交流断路器跳闸。PSCAD/EMTDC仿真结果证明了故障特性分析的正确性和所提出的故障保护策略的有效性。     

低速下无刷直流电机三相电压矢量位置检测方法

提出一种适用于无刷直流电机低速运行时的无位置传感器控制方法,该方法依据相间反电动势差值进行转子位置检测,通过施加两个相位相差120°的三相电压矢量,分别采样矢量作用结束时刻的直流侧响应电流并比较其大小关系判断转子位置。同时分析了磁路饱和效应和电压矢量作用时间对位置检测精度的影响。与传统电感法相比,该方法检测矢量少,缩短了检测时间;与长短脉冲位置检测方法相比,在相同条件下响应电流差值大,更易于检测,提高了换相准确性。实验结果验证了所提方法的有效性。     

基于高精度电感法的无刷直流电机起动及反电动势同步检测稳定性研究

提出了一种基于电感法的高精度定位方案,在不增加定位电流脉冲数量的基础上将定位精度由原先的60°电角度提高至30°电角度,并消除了电机因工艺问题导致的相绕组参数不一致对检测的影响。设计了一种新颖的切换算法,可在极短时间内稳定可靠地切换到闭环。讨论了反电动势的同步检测方案,通过理论分析和仿真对比了PWM导通和PWM关断时刻检测反电动势过零信号方法的区别,并对干扰因素提出了补偿方案。样机实验验证了所提方案的稳定性和可靠性。